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Ｃｕ−Ｇａスパッタリングターゲット及びＣｕ−Ｇａスパッタリングターゲットの製造方法
- 专利权人:
- 三菱マテリアル株式会社
- 发明人:
- 梅本 啓太,井尾 謙介,張 守斌,塩野 一郎
- 申请号：
- JP20170050548
- 公开号：
- JP2018024933(A)
- 申请日:
- 2017.03.15
- 申请国别(地区):
- 日本
- 年份:
- 2018
- 代理人:
- 摘要：
- 【課題】アルカリ金属化合物であるＫ、Ｒｂ、Ｃｓのハロゲン化物を比較的多く含有し、Ｋ、Ｒｂ、Ｃｓが均一に分散した組成のＣｕ−Ｇａ膜を安定して成膜することが可能なＣｕ−Ｇａスパッタリングターゲット、及び、このＣｕ−Ｇａスパッタリングターゲットの製造方法を提供する。【解決手段】金属成分として、Ｇａを５原子％以上６０原子％以下の範囲で含有し、さらにＫ、Ｒｂ、Ｃｓからなる群より選ばれる少なくとも１種の添加元素を０．０１原子％以上５原子％以下の範囲で含有し、残部がＣｕおよび不可避不純物からなる組成を有し、前記添加元素の全部または一部が、Ｆ、Ｃｌ、ＢｒおよびＩからなる群より選ばれる少なくとも１種のハロゲンを含むハロゲン化物粒子の状態で存在し、前記ハロゲン化物粒子の最大粒子径が１５μｍ以下
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
- 来源网址：
- http://www.ckcest.cn/home/
