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增强造血干细胞植入过程的材料和方法
专利权人:
印第安纳大学研究与技术公司
发明人:
路易斯·M·佩卢斯,乔纳森·霍格特,普拉蒂博哈·辛格
申请号:
CN201710777353.6
公开号:
CN107523587A
申请日:
2009.11.06
申请国别(地区):
CN
年份:
2017
代理人:
摘要:
增强造血干细胞植入过程的材料和方法。本公开涉及增强造血干细胞(HSPC)和祖细胞(HSPC)植入过程的方法。降低PGE2生物合成的化合物或PGE2受体拮抗剂单独地或与其它造血动员剂(如AMD3100和G‑CSF)联合地体内处理HSPC供体,使得循环中可用HSPC增加。减少PGE2细胞合成的化合物包括非甾体抗炎化合物,例如吲哚美辛。用有效量的PGE2或其至少一种衍生物例如16,16‑二甲基前列腺素E2(dmPGE2)离体处理HSPC促进了HSPC的植入。类似的方法也可用于增加病毒介导的向HSPC中转导基因的效率。
来源网站:
中国工程科技知识中心
来源网址:
http://www.ckcest.cn/home/

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