一种磁场可调的带磁屏蔽效应的低功率霍尔推力器
- 专利权人:
- 北京航空航天大学
- 发明人:
- 汤海滨,张广川,任军学,姜逸伟,王一白
- 申请号：
- CN201710438203.2
- 公开号：
- CN107165794A
- 申请日:
- 2017.06.12
- 申请国别(地区):
- 中国
- 年份:
- 2017
- 代理人:
- 摘要：
- 本发明内容为一种磁场可调的带磁屏蔽效应的低功率霍尔推力器，属于电推进技术领域。随着航天任务需求的多样化，低功率霍尔电推力器越来越受到重视，但是霍尔推力器低功率化带来了寿命短效率低的问题，这与霍尔推力器放电通道几何尺寸、磁场位形和强弱等有关。本发明将磁屏蔽理论引入低功率霍尔推力器的设计中，使用永磁铁产生强磁场，利用双磁屏构型在放电通道内部形成磁屏蔽型磁场限制等离子体运动，减弱对壁面的腐蚀，增加寿命；同时，永磁铁的使用大大降低了霍尔推力器的功耗，使推力器的功耗不高于100W；此外本发明还设计了推力器内部的到热结构，避免因为热负载过高影响永磁铁的性能。
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
