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高纯度含单烯基甘油衍生物及其制造方法
专利权人:
道康宁东丽株式会社
发明人:
早田达央,泽山小百合,杉浦常仁,田村诚基,堀诚司
申请号:
CN201380072607.4
公开号:
CN105189430B
申请日:
2013.12.26
申请国别(地区):
CN
年份:
2018
代理人:
摘要:
本发明提供一种纯度为92%以上、导电度为50μS/cm以下的含单烯基甘油衍生物。所述含单烯基甘油衍生物可以通过包含以下工序的制造方法来制造,工序(A):使缩酮化甘油衍生物及单烯基缩水甘油醚在无机碱的存在下反应而得到缩酮化甘油衍生物的缩酮体的工序、工序(B):通过蒸馏精制工序(A)中得到的所述缩酮体的工序、及工序(C):将工序(B)中得到的同缩酮体水解的工序。根据本发明,可以提供一种目前困难的高纯度的含单烯基甘油衍生物。进而,可以提供一种使用所述含单烯基甘油衍生物、化学上稳定、进而乳化性等实用性、配合稳定性优异的甘油衍生物改性硅酮及其用途。
来源网站:
中国工程科技知识中心
来源网址:
http://www.ckcest.cn/home/

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