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一种脑电极器件的焊接方法及脑电极器件
专利权人:
中国科学院上海微系统与信息技术研究所
发明人:
陶虎,周志涛,王雪迎
申请号:
CN202210104979.1
公开号:
CN114406515A
申请日:
2022.01.28
申请国别(地区):
CN
年份:
2022
代理人:
摘要:
本申请实施例所公开的一种脑电极器件的焊接方法及脑电极器件,获取脑电信号采集器件和柔性电子电路,脑电信号采集器件具有第一待连接区域,柔性电子电路具有第二待连接区域,基于第二待连接区域对应的目标尺寸,对第一待连接区域进行植球处理,得到目标植球,将目标植球与第二待连接区域接触,使得脑电信号采集器件和柔性电子电路连接,得到脑电极器件。本申请采用激光植球技术在脑电信号采集器件的第一待连接区域上进行植球处理,可以减小脑电信号采集器件的连接面积。采用倒扣焊接技术,可以在较低的焊接温度下的将高密度脑电信号采集器件与柔性电路板直接连接,可以保证脑电极器件的性能不被损坏,且可以提高脑电极器件的连接稳定性。
来源网站:
中国工程科技知识中心
来源网址:
http://www.ckcest.cn/home/

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