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半導体デバイス製造における酸化スズ被膜スペーサ
- 专利权人:
- ラム リサーチ コーポレーションＬＡＭ ＲＥＳＥＡＲＣＨ ＣＯＲＰＯＲＡＴＩＯＮ
- 发明人:
- デビッド・チャールズ・スミス,リチャード・ワイズ,アーパン・マホロワラ,パトリック・エー．・バン クリーンプット,バート・ジェイ．・バン シュラベンディック
- 申请号：
- JP20170120945
- 公开号：
- JP2018006742(A)
- 申请日:
- 2017.06.21
- 申请国别(地区):
- 日本
- 年份:
- 2018
- 代理人:
- 摘要：
- 【課題】半導体デバイスの製造において、薄い酸化スズ被膜をスペーサとして使用する。【解決手段】第１の材料（例えば酸化ケイ素または窒化ケイ素）の露出層１０３と、第２の材料（例えばシリコンまたは炭素）を含む複数の突出フィーチャ１０１とを有する半導体基板上に、薄い酸化スズ被膜１０９をコンフォーマルに堆積する。例えば、厚さ１０〜１００ｎｍの酸化スズ層を、原子層堆積を使用して堆積する。次に、酸化スズ被膜を、突出フィーチャの側壁からは完全には除去することなく水平面から除去する。次に、突出フィーチャの材料をエッチング除去し、酸化スズスペーサ１０９を基板上に残す。これに続いて、スペーサを除去することなく、第１の材料の保護されていない部分をエッチングする。次に、下層をエッチングし、スペーサを除
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
- 来源网址：
- http://www.ckcest.cn/home/
