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半导体晶片表面保护膜以及半导体装置的制造方法
- 专利权人:
- 三井化学东赛璐株式会社
- 发明人:
- 镰田润,川崎登,宇杉真一,助川诚,木下仁,五十岚康二,森本哲光
- 申请号：
- CN201680038179.7
- 公开号：
- CN107750386A
- 申请日:
- 2016.07.01
- 申请国别(地区):
- 中国
- 年份:
- 2018
- 代理人:
- 金鲜英`李宏轩
- 摘要：
- 本发明的目的在于提供一种半导体晶片表面保护膜，其可良好地追随于半导体晶片的电路形成面的凹凸而贴附、且即便经过高温工序的情形时也可抑制剥离时的晶片的破裂、残胶。本发明的半导体晶片表面保护膜依次具有基材层A、粘着性吸收层B及粘着性表层C，粘着性吸收层B包含含有热固性树脂b1的粘着剂组合物，粘着性吸收层B的于25℃以上且小于250℃的范围内的储能模量G'b的最小值G'bmin为0.001MPa以上且小于0.1MPa，250℃时的储能模量G'b250为0.005MPa以上，且显示出G'bmin的温度为50℃以上且150℃以下，粘着性表层C的于25℃以上且小于250℃的范围内的储能模量G'c的最小值G'cmin为0.03MPa以上。
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
- 来源网址：
- http://www.ckcest.cn/home/
