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电磁辐射致癌的Scid小鼠模型及构建方法
专利权人:
北京工业大学
发明人:
曾毅,赵丽娇,崔亚松,钟儒刚
申请号:
CN201010123381.4
公开号:
CN101838633A
申请日:
2010.03.12
申请国别(地区):
中国
年份:
2010
代理人:
张燕慧
摘要:
本发明涉及一种电磁辐射致癌的Scid小鼠模型及构建方法。该方法首先培养NIH/3T3细胞并传代,然后将细胞暴露于30~90W/m2的电磁辐射下,培养4~6周,再进行软琼脂糖培养实验,并接种于Scid小鼠进行致瘤实验。结果表明软琼脂糖实验中有细胞集落形成,致瘤实验中Scid小鼠均产生肿瘤。本发明方法建立了电磁辐射诱发肿瘤的Scid小鼠模型,效果显著、步骤简单、重复性好。本发明方法建立的体外细胞转化实验模型可用于模拟体内细胞的恶性转化,为电磁辐射诱发肿瘤的发病机制及防治措施的研究提供了一种良好的实验模型和有力的技术手段。本发明方法可以应用于工业、科学、医疗以及日常生活中电磁辐射的致癌性风险预评价,对预防电磁辐射对人体健康的远期危害具有重要价值。
来源网站:
中国工程科技知识中心
来源网址:
http://www.ckcest.cn/home/

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