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MAGNETIC SENSOR AND MAGNETIC SENSOR DEVICE
专利权人:
TOSHIBA CORP;株式会社東芝
发明人:
IWASAKI HITOSHI,岩崎 仁志,KIKITSU SATORU,喜々津 哲,SHIRATORI SATOSHI,白鳥 聡志
申请号:
JP2016012662
公开号:
JP2017133891A
申请日:
2016.01.26
申请国别(地区):
JP
年份:
2017
代理人:
摘要:
PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a magnetic sensor and a magnetic sensor device in which a reduction of MR ratio is small, and with which it is possible to reduce 1/f noise.SOLUTION: A magnetic sensor according to the present embodiment comprises: a magnetoresistive film of laminate structure having a first magnetic layer, a second magnetic layer, and an intermediate layer arranged between the first magnetic layer and the second magnetic layer; and a pair of electrodes for sending a current in a first direction perpendicular to the laminate direction of the magnetoresistive film, the second magnetic layer having an amorphous magnetic layer and a crystalline magnetic layer arranged between the amorphous magnetic layer and the intermediate layer, the current path length of the magnetoresistive film being 10 μm or more.SELECTED DRAWING: Figure 1【課題】MR比の低下が小さく、1/fノイズの低減をすることができる磁気センサおよび磁気センサ装置を提供する。【解決手段】本実施形態による磁気センサは、第1磁性層と、第2磁性層と、前記第1磁性層と前記第2磁性層との間に配置された中間層と、有する積層構造の磁気抵抗膜と、前記磁気抵抗膜の積層方向と垂直な第1方向に電流を流す一対の電極と、を備え、前記第2磁性層は、アモルファス磁性層と、前記アモルファス磁性層と前記中間層との間に配置された結晶性磁性層とを有し、前記磁気抵抗膜の電流パスの長さが10μm以上である。【選択図】図1
来源网站:
中国工程科技知识中心
来源网址:
http://www.ckcest.cn/home/

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