具有高远红外线平均放射率的芯片
- 专利权人:
- 稷富国际科技有限公司
- 发明人:
- 林豊棋
- 申请号：
- CN201710880999.7
- 公开号：
- CN109550152A
- 申请日:
- 2017.26.09
- 申请国别(地区):
- CN
- 年份:
- 2019
- 代理人:
- 摘要：
- 本发明涉及一种具有高远红外线平均放射率的芯片,其包含有一金属基材,其具有导热性,该金属基材的表面涂布有一防护层,该防护层包含5~10wt%的锗、30~40wt%的碳、10~15wt%的钙、1~10wt%的硅石、1~5wt%的氧及20~53wt%的黏着剂,借此,可释放波长8‑12μm的远红外线,促进微血管扩张,加速血液循环,达到促进新陈代谢,通过锗元素接触人体释放负离子,达到正负电平衡的状态。
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
