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SUBSTRAT DE CROISSANCE DE MOUSSE
专利权人:
SUOMEN PUISTOPUUTARHURIT OY
发明人:
KÄMÄRÄINEN, Antti
申请号:
FIFI2019/050738
公开号:
WO2020/094912A1
申请日:
2019.10.16
申请国别(地区):
FI
年份:
2020
代理人:
摘要:
The invention relates to a moss growth substrate (200), preferably consisting of at least two layers (201a, 201 b) of Sphagnum biomass compacted to different bulk densities, the bulk density of the layers increasing from the bottom (202) of the growth substrate towards the top (203) of the growth substrate. The invention also relates to a method of manufacturing the growth substrate, to the growth substrate manufacturable by the method according to the invention and to a method of growing plants in the growth substrate according to the invention.L'invention concerne un substrat de croissance de mousse (200), constitué de préférence d'au moins deux couches (201a, 201b) de biomasse de sphaigne compactées à différentes densités apparentes, la densité apparente des couches augmentant depuis le bas (202) du substrat de croissance vers le haut (203) du substrat de croissance. L'invention concerne également un procédé de fabrication du substrat de croissance, le substrat de croissance pouvant être fabriqué par le procédé selon l'invention et un procédé de culture de plantes dans le substrat de croissance selon l'invention.
来源网站:
中国工程科技知识中心
来源网址:
http://www.ckcest.cn/home/

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