Rohm and Haas Electronic Materials CMP Holdings, Inc.
发明人:
Guo, Yi,Mosley, David W.
申请号：
DE20171009085
公开号：
DE102017009085(A1)
申请日:
2017.09.28
申请国别(地区):
德国
年份:
2018
代理人:
摘要：
Die vorliegende Erfindung stellt wässrige chemisch-mechanische Planarisierungs(CMP)-Polierzusammensetzungen bereit, die eine Zusammensetzung von positiv geladenen Siliziumoxidteilchen mit insgesamt von 3 bis 20 Gew.-%, auf der Basis der gesamten Siliziumoxidteilchenfeststoffe in der CMP-Polierzusammensetzung, von einer oder mehreren Zusammensetzung(en) von negativ geladenen Siliziumoxidteilchen umfasst, worin die Siliziumoxidteilchen eine z-gemittelte Teilchengröße, bestimmt mittels dynamischer Lichtstreuung (DLS), von 5 bis 50 nm aufweisen. Das Verhältnis der z-gemittelten Teilchengröße (DLS) der Siliziumoxidteilchen in der Zusammensetzung von positiv geladenen Siliziumoxidteilchen zu derjenigen der Siliziumoxidteilchen in der einen oder den mehreren Zusammensetzung(en) von negativ geladenen Siliziumoxidteilchen liegt im Bereich von 1:1 bis 5:1, vorzugsweise von 5:4 bis 3:1. Die Zusammensetzungen ermöglichen ein verbessertes Polieren von dielektrischen Substraten oder Oxidsubstraten und sind für mind
