Multivalent semiconductor photocatalytic material

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专利权人:

日東電工株式会社

发明人:

サンバンダン，エカンバラン,ザン，ビン,サンバンダン,エカンバラン,ザン,ビン

申请号：

JP2017513629

公开号：

JP2017528314A

申请日:

2015.09.11

申请国别(地区):

JP

年份:

2017

代理人:

摘要：

The present application describes a heterogeneous material, a p-type semiconductor comprising two metal oxide compounds of the same metal in two different oxidation states, and an n-type having a valence band deeper than the valence band of the p-type semiconductor The semiconductor types are in ionic communication with each other. Heterogeneous materials improve photocatalytic activity.本願には不均質材料が記載され、２つの異なる酸化状態にある同じ金属の２つの金属酸化物化合物を含むｐ型半導体と、ｐ型半導体の価電子帯よりも深い価電子帯を有するｎ型半導体とを含み、それらの半導体の型は互いにイオン的に連通する。不均質材料は光触媒活性を向上させる。

来源网站：

中国工程科技知识中心

来源网址：

http://www.ckcest.cn/home/