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一种离子注入Ag/TiO2复合抗菌薄膜的制备方法
专利权人:
天津师范大学
发明人:
侯兴刚,王学敏,姚琨,刘峰,王立群,李德军
申请号:
CN201310084246.7
公开号:
CN103181399A
申请日:
2013.03.18
申请国别(地区):
中国
年份:
2013
代理人:
朱红星
摘要:
本发明公开了一种Ag/TiO2复合抗菌薄膜及其制备方法,它主要由衬底、表层掺杂Ag离子的薄膜层组成,所述Ag离子掺杂剂量为1×1015-1×1018ions/cm2,注入时真空压强为1×10-1–1×10-3Pa;注入机的加速电压为1–100kV,离子束流为0.1–10mA,一共镀3-4层膜,薄膜厚度为140-200nm。本发明利用Ag离子在TiO2能带中产生的间隙能级,降低TiO2薄膜光生电子空穴对的复合率,提高TiO2薄膜光催化效率,并使TiO2薄膜吸收光谱发生红移,提高可见光的吸收率,也就提高了TiO2薄膜的抗菌效率。与普通的Ag或TiO2复合抗菌剂比较,Ag/TiO2复合抗菌薄膜可以提供更加高效的杀灭大肠杆菌的效率。
来源网站:
中国工程科技知识中心
来源网址:
http://www.ckcest.cn/home/

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