Provided according to embodiments of the invention are methods of manufacturing implant devices. In methods described herein, implant devices are exposed to a reactive gas that includes a reactive species, and optionally, an inert gas, at elevated temperatures, for a duration sufficient to generate a high density of nanoscale structures on the exposed surface of the device. Also provided are implant devices formed by a method described herein.Dans des modes de réalisation, linvention concerne des procédés de fabrication dimplants. Dans les procédés décrits, les implants sont exposés à un gaz réactif qui comprend des espèces réactives, et éventuellement à un gaz inerte à des températures élevées pendant une durée suffisante pour générer une densité élevée de nanostructures sur la surface exposée du dispositif. Linvention concerne également des implants formés au moyen du procédé précité.
