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BRAIN STIMULATION DEVICE AND METHOD FOR ENHANCING MEMORY FUNCTION
专利权人:
SEOUL NATIONAL UNIVERSITY R&DB FOUNDATION;서울대학교산학협력단
发明人:
CHUNG CHUN KEE,정천기,KIM JUNE SIC,김준식,JEONG WOORIM,정우림,JUN SO YEON,전소연,KIM DAHYE,김다혜
申请号:
KR1020180094093
公开号:
KR1020200018171A
申请日:
2018.08.10
申请国别(地区):
KR
年份:
2020
代理人:
摘要:
A brain stimulation device disclosed in the present specification comprises: a brain signal input unit receiving a first nerve signal related to a brain of a subject; a stimulation unit outputting an electrical or magnetic first stimulation signal; an analysis unit analyzing a brain state based on a first nerve signal; a determination unit determining memory formation possibility based on the analyzed brain state and a preset criteria; and a control unit controlling the stimulation unit to output a stimulus signal when the memory formation possibility is not suitable for the preset criterion.COPYRIGHT KIPO 2020본 명세서에 개시된 뇌 자극 장치는 대상체의 뇌와 관련된 제1 신경 신호를 입력 받는 뇌 신호 입력부, 전기적 또는 자기적 제1 자극 신호를 출력하는 자극부, 제1 신경 신호에 기반하여 뇌의 상태를 분석하는 분석부, 분석된 뇌의 상태 및 미리 설정된 기준에 기반하여 기억 형성 가능성을 판단하는 판단부 및 기억 형성 가능성이 미리 설정된 기준에 부적합한 경우 자극부로 하여금 자극 신호를 출력하도록 제어하는 제어부를 포함한다.
来源网站:
中国工程科技知识中心
来源网址:
http://www.ckcest.cn/home/

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