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一种应用辉光放电质谱分析非导体材料的方法
- 专利权人:
- 中国科学院上海硅酸盐研究所
- 发明人:
- 钱荣
- 申请号：
- CN201010606816.0
- 公开号：
- CN102175754B
- 申请日:
- 2010.12.27
- 申请国别(地区):
- 中国
- 年份:
- 2013
- 代理人:
- 何葆芳
- 摘要：
- 本发明公开了一种应用辉光放电质谱分析非导体材料的方法，其包括如下具体步骤：a)将待分析的非导体材料加工成条状样品；b)清洗条状样品，烘干；c)将金属铟置入石英坩埚中，加热至熔融状态；d)使条状样品表面包覆一层金属铟膜；e)再次清洗条状样品，烘干；f)进行直流辉光放电质谱分析。使用本发明的分析方法：无需研磨样品，无需抛光，前处理简单，避免了污染；操作简便，大大减少了金属铟的使用量，降低了分析成本；放电与导体样品类似，容易稳定且信号稳定性好，信噪比(S/N)理想，缩短了分析时间和提高了分析效率；能适合块状或晶体材料的分析，普适性强，应用范围广；具有很好的放电稳定性以及分析重复性。
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
- 来源网址：
- http://www.ckcest.cn/home/
