一种石斛栽培基质
- 专利权人:
- 安徽省霍山县祥佑堂中药材开发有限公司
- 发明人:
- 张思敏,张思锐
- 申请号：
- CN201610953247.4
- 公开号：
- CN106561331A
- 申请日:
- 2016.10.27
- 申请国别(地区):
- 中国
- 年份:
- 2017
- 代理人:
- 李显锋
- 摘要：
- 本发明公开了一种石斛栽培基质，涉及一种栽培基质，包括由上到下依次设置的基质层一、基质层二、基质层三和基质层四，具体铺设方式为基质层一的铺设厚度为2~4cm，基质层二的铺设厚度为8~10cm，基质层三的铺设厚度为12~15cm，基质层四的铺设厚度为10~12cm。本发明对应合理搭配了各物质成分，最终制得的栽培基质具有良好的透气性、保水保肥性、抗病虫害性和营养性，不仅能有效提升石斛的产量，又能改善其品质，有很好的推广使用价值。
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
