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酸化物半導体膜、該酸化物半導体膜を有する半導体装置、及び該半導体装置を有する表示装置
- 专利权人:
- 株式会社半導体エネルギー研究所
- 发明人:
- 岡崎 健一,肥塚 純一,生内 俊光,齋藤 暁,山崎 舜平
- 申请号：
- JP20170503202
- 公开号：
- JPWO2016139556(A1)
- 申请日:
- 2016.02.24
- 申请国别(地区):
- 日本
- 年份:
- 2018
- 代理人:
- 摘要：
- 新規な酸化物半導体膜を提供する。または、欠陥が少ない酸化物半導体膜を提供する。または、酸化物半導体膜と絶縁膜との界面における浅い欠陥準位密度のピーク値が小さい酸化物半導体膜を提供する。Ｉｎと、Ｍ（ＭはＡｌ、Ｇａ、Ｙ、またはＳｎを表す。）と、Ｚｎと、を有する酸化物半導体膜であって、酸化物半導体膜を断面ＴＥＭ分析した際に、原子が確認できる断面ＴＥＭ像の一視野において、酸化物半導体膜は、ｃ軸配向性を有する領域を有し、ｃ軸配向性を有する領域と異なる領域の面積が５０％未満で０％を含む。
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
- 来源网址：
- http://www.ckcest.cn/home/
