一种远红外材料的制备方法及设备
- 专利权人:
- 李旺菊;杨建林
- 发明人:
- 钟事勋
- 申请号：
- CN201310332193.6
- 公开号：
- CN103463739A
- 申请日:
- 2013.07.24
- 申请国别(地区):
- CN
- 年份:
- 2013
- 代理人:
- 摘要：
- 本发明涉及材料制造技术领域，尤其涉及一种远红外材料的制备方法及设备，所述制备方法包括步骤：S1：对基材进行降温冷冻处理，达到最低温度T0后保持一段时间t0；S2：对冷冻的基材进行升温处理，并在升温过程中进行极化处理；S3：停止升温和极化处理，自然冷却至常温。所述方法可以使普通材料释放的波长在4μm-16μm的远红外线的法向发射率大幅提高，接近或达到远红外材料的标准。
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
