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脱毒甘薯三膜覆盖育苗方法
- 专利权人:
- 石家庄市农林科学研究院
- 发明人:
- 王海山,宋聚红,刘玉芹,康欣娜,苏振济,张淑青,相丛超,樊建英,封志明,李冬玉
- 申请号：
- CN201710743466.4
- 公开号：
- CN107371746A
- 申请日:
- 2017.08.25
- 申请国别(地区):
- 中国
- 年份:
- 2017
- 代理人:
- 喻慧玲
- 摘要：
- 本发明公开了一种脱毒甘薯三膜覆盖育苗方法，是在冀中南地区，采用地膜、结合拱棚与日光温室的三膜覆盖条件进行脱毒甘薯的育苗，获得的育苗方法，从日光温室内苗床的制作及拱棚膜和地膜的覆盖入手，结合脱毒甘薯排薯上床方式、棚内温度、湿度等重要条件的管理等诸因素的综合，使甘薯在冀中南地区的出苗时期提前一至一个半月，满足甘薯于三月中下旬的早期种植需求，而且本发明的三膜覆盖育苗方法受外界气候干扰小，育苗面积大，棚内环境维持更稳定，能够确保大批量甘薯的育苗和出苗时期的显著提前，得到的甘薯苗在种植时具有不易出现病虫害的种植优势，另外通过高剪苗的采苗方式可完成甘薯苗一年两茬的出苗，具有积极的推广意义和显著的经济价值。
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
- 来源网址：
- http://www.ckcest.cn/home/
