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一种大球盖菇开沟种植方法
专利权人:
滕正平
发明人:
滕正平
申请号:
CN201110391613.9
公开号:
CN102498949A
申请日:
2011.12.01
申请国别(地区):
中国
年份:
2012
代理人:
何健
摘要:
一种大球盖菇开沟种植方法,本发明采用在种植时开沟铺料,让种植后的墒面和地面高度保持一致,该生产方法步骤如下:1)按传统方法和工艺备培养料;2)开墒种植;3)在开墒挖好的沟内进行铺培养料种植;4)盖覆盖物保温保水。本发明的有益效果是,针对大球盖菇生长的好湿性,需充足水分,怕虫害腐烂,不喜强烈阳光直射,适于温暖性气候的特性,本发明采用挖成沟的墒面进行叠层培植,让墒面和地面高度保持一致,既保湿,又透气,控温、保水,防阳光直射;在高原地区创造了十分适于大球盖菇的生长的环境条件,能够使大球盖菇在高原地区正常、高产地生长。
来源网站:
中国工程科技知识中心
来源网址:
http://www.ckcest.cn/home/

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