在等离子体氧化技术图案化的自组装膜表面上构建远离基底的仿生膜的方法
- 专利权人:
- 哈尔滨工业大学
- 发明人:
- 韩晓军,吕鹏
- 申请号：
- CN201410281890.8
- 公开号：
- CN104058365B
- 申请日:
- 2014.06.23
- 申请国别(地区):
- 中国
- 年份:
- 2016
- 代理人:
- 摘要：
- 本发明公开了一种在等离子体氧化技术图案化的自组装膜表面上构建远离基底的仿生膜的方法。所述方法为：一、利用等离子体氧化技术图案化自组装膜表面；二、在图案化自组装膜表面上进行层层自组装或金/银纳米粒子的组装，构建微米级别的沟槽结构；三、在沟槽结构的上面利用巨型磷脂泡囊的铺展制备远离基底的仿生膜。本发明将等离子体氧化技术与层层组装（及纳米技术）应用到支撑磷脂双层膜的制备中，实现了远离基底的仿生膜的制备，突破性地扩大了支撑磷脂双层膜阵列的制备方法，为膜生物物理学、生物化学、仿生学和微纳米技术领域的相关膜特性研究提供了可靠的技术方法。
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
