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一种褶皱神经电极阵列系统及其制备方法
- 专利权人:
- 国家纳米科学中心
- 发明人:
- 方英,杨龙
- 申请号：
- CN201610819422.0
- 公开号：
- CN106510678A
- 申请日:
- 2016.09.12
- 申请国别(地区):
- CN
- 年份:
- 2017
- 代理人:
- 摘要：
- 本发明涉及微加工技术领域，尤其涉及一种褶皱神经电极阵列系统及其制备方法，包括封装体、外部转接口和经过褶皱处理的电极阵列，封装体包括弹性衬底和绝缘体，电极阵列与弹性衬底的上表面贴合，电极阵列与外部转接口通过外引线连接，绝缘体贴覆于弹性衬底与外部转接口上，以将电极阵列与外引线封装于封装体内，绝缘体上设有缺口，电极阵列包括一个或多个神经电极，缺口暴露神经电极的有效检测部位。本发明通过将电极阵列进行褶皱处理使神经电极的平面投影面积减小，在不损失神经电极的信噪比的情况下，提高电极空间分辨率，兼具较高的空间分辨率和灵敏度，用于神经电信号的监测和记录，与生物组织力学性能相互匹配，具有更优的生物兼容性。
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
- 来源网址：
- http://www.ckcest.cn/home/
