氮掺杂三维石墨烯负载碳包覆铜基底材料及制备方法
- 专利权人:
- 天津大学
- 发明人:
- 赵乃勤,张翔,何春年,师春生,刘恩佐,李家俊
- 申请号：
- CN201510496743.7
- 公开号：
- CN105067586A
- 申请日:
- 2015.08.12
- 申请国别(地区):
- 中国
- 年份:
- 2015
- 代理人:
- 王丽
- 摘要：
- 本发明涉及一种氮掺杂三维石墨烯负载碳包覆铜基底材料及制备方法，使用一步化学气相沉积法直接合成氮掺杂三维石墨烯负载碳包覆铜纳米颗粒，制备使用的原料成本低廉，过程简单易操作，方便宏量生产；所得的碳包覆铜纳米颗粒原位合成，均匀负载于三维石墨烯的表面上，克服了外加法分布不均匀的技术难题；涂膜后的氮掺杂三维石墨烯负载铜纳米基底材料对探针分子结晶紫检测下限分别可达1×10-6mol/L，且具有较好的稳定性；该方法过程简单，以此方法所制得的基底材料具有优良的检测效果。
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
