口腔烤瓷用钛瓷TiN/ZrTiSiN复合过渡阻挡层制备工艺
- 专利权人:
- 四川大学
- 发明人:
- 刘波,张彦坡,林黎蔚
- 申请号：
- CN201210169444.9
- 公开号：
- CN102808161B
- 申请日:
- 2012.05.29
- 申请国别(地区):
- CN
- 年份:
- 2014
- 代理人:
- 摘要：
- 本发明公开了一种在生物人体替代材料方面广泛应用的钛瓷间沉积TiN/ZrTiSiN复合过渡阻挡层制备工艺，属于医学用口腔种植和修复中的金属烤瓷修复技术领域。该工艺采用射频磁控溅射技术，包括镀前处理、偏压反溅清洗和沉积TiN/ZrTiSiN复合过渡涂层等步骤。本发明沉积的TiN/ZrTiSiN复合过渡阻挡层处理后的钛瓷耐烧结温度可高达850℃，结合强度可达60MPa。该制备工艺操作简单，便于推广。所得阻挡层材料在瓷烧结温度下通过阻碍氧与钛的扩散反应，防止其形成过厚的不致密氧化膜，显著提高钛瓷间的结合强度。
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
