您的位置: 首页 > 农业专利 > 详情页

ホスホン酸で表面修飾されたシリカ
专利权人:
ロディア オペレーションズ
发明人:
ドミニク ラバル,ピエール ミュタン,ステファニー ラシアズ,アンヌ ガラルノー,ダニエル ブルネル
申请号:
JP2008534046
公开号:
JP5425467B2
申请日:
2006.10.04
申请国别(地区):
JP
年份:
2014
代理人:
摘要:
This invention the method of decorating the silica surface, especially, the surface being method in order to produce the silica which graft is done with the hydrophobic chain, (A) in water medium, processes with the metal cation which at 2 values or more can lock the silica, at least on the silica surface To the water medium which and, next, (B) was processed with step includes the silica which (A) and is obtained, R PO above kind ( oh) 2 (R is the hydrophobic chain at least) with to introduce the phosphon acid content child which is displayed, it regards the method of reacting with the silica which could obtain these phosphon acid content children with step (A) and was processed. As for this invention, in addition, to hydrophobia which is obtained with the aforementioned method by production method in the silica, and the silicone matrix which are converted it regards use as a filler.本発明は、シリカ表面を修飾する方法、特に、表面が疎水性鎖でグラフトされたシリカを製造するための方法であって、(A)水性媒体中で、シリカを、少なくとも2価以上でシリカ表面に固定できる金属カチオンにより処理し;そして、次に、(B)ステップ(A)で処理したシリカを含む得られた水性媒体に、少なくとも一種以上のR-PO(-OH)2(Rは疎水性鎖である)で表されるホスホン酸分子を導入し、これらのホスホン酸分子をステップ(A)で得られた処理されたシリカと反応させる方法に関する。本発明は、また、前記方法により製造方法により得られる疎水性化されたシリカ、及び、シリコーンマトリックス中でのフィラーとしての使用に関する。
来源网站:
中国工程科技知识中心
来源网址:
http://www.ckcest.cn/home/

意 见 箱

匿名:登录

个人用户登录

找回密码

第三方账号登录

忘记密码

个人用户注册

必须为有效邮箱
6~16位数字与字母组合
6~16位数字与字母组合
请输入正确的手机号码

信息补充