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一种用于CT成像系统的整体封装碳纳米射线源
专利权人:
中国科学院深圳先进技术研究院
发明人:
张成祥,谭思晴,郑海荣,胡战利,陈垚,桂建保,洪序达,张蕴婉
申请号:
CN201410736200.3
公开号:
CN104362063B
申请日:
2014.12.05
申请国别(地区):
CN
年份:
2017
代理人:
摘要:
本发明公开一种用于CT成像系统的整体封装碳纳米射线源,至少包括机壳、阳极和阴极,其中,所述阳极的数量在50个至90个之间,所述阴极的数量在50个至90个之间,所述阳极和阴极均呈环形阵列对应设置在所述机壳内部,所述阳极为固定阳极,所述阴极为碳纳米管阴极。本发明提供一种用于CT成像系统的整体封装碳纳米射线源,将阳极和阴极装配与机架的机壳内,与机架形成整体封装碳纳米射线源,阳极采用固定阳极,阴极采用碳纳米阴极,使阳极具有较好的散热性能,保证了成像质量,提高了可靠性,以及降低了生产和维护成本,另外,该CT成像系统具有低功率和瞬间热熔量较低的特点,延长CT成像系统的连续工作时间,满足需要连续扫描工作的要求。
来源网站:
中国工程科技知识中心
来源网址:
http://www.ckcest.cn/home/

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