用于神经缺损修复的可降解镁合金神经导管及其制备方法
- 专利权人:
- 上海交通大学
- 发明人:
- 袁广银,丁文江
- 申请号：
- CN201410258445.X
- 公开号：
- CN104055599B
- 申请日:
- 2014.06.11
- 申请国别(地区):
- CN
- 年份:
- 2016
- 代理人:
- 摘要：
- 本发明公开了一种用于神经缺损修复的可降解镁合金神经导管及其制备方法；所述神经导管为圆管型，所述神经导管的管壁上设置有多列通孔，每列通孔沿圆管轴向等间距排布，相邻列的通孔错位排列。本发明还涉及前述的神经导管的制备方法，包括如下步骤：步骤1，将镁合金管坯一端加工出45°的锥面，进行挤压，得镁合金中间管材；步骤2，将镁合金中间管材经多道次轧制、拉拔后，得毛细管；步骤3，将毛细管进行去应力退火，保温，激光切割，打孔，得多孔导管；步骤4，将多孔导管在超声清洗机中酸洗，电化学抛光处理，即可。本发明制备方法工艺简单，制备出的用于神经缺损修复的多孔可降解镁合金神经导管壁厚均匀、表面光滑。
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
