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A liquid culture method of Hericium erinaceum using Artemisia swayomogi and Hericium erinaceum culture material of culturing thereof
专利权人:
发明人:
정재현,김동구,박천규
申请号:
KR1020100049018
公开号:
KR1012352050000B1
申请日:
2010.05.26
申请国别(地区):
KR
年份:
2013
代理人:
摘要:
PURPOSE: A liquid culturing method of hericium erinaceus using artemisia capillaries, and the hericium erinaceus are provided to enable users to cultivate the hericium erinaceus in an optimized condition. CONSTITUTION: A liquid culturing method of hericium erinaceus using artemisia capillaries comprises the following steps: injecting hericium erinaceus spawns in a culture medium, and cultivating the spawns for 10-15 days at 23-26 deg C to obtain mycelia(S110); producing plural mycelia disks by cutting the mycelia(S120); injecting the mycelia disks into an MCM medium and shake-culturing the disks for 10-15 days at 23-26 deg C to obtain a first inoculum source(S130); shake-culturing the first inoculum source for 5-7 days to obtain a second inoculum source(S140); and cultivating the second inoculum source in the MCM medium containing artemisia capillaries powder for 8-10 days(S150).본 발명은 최적화된 조건하에서 노루궁뎅이 버섯을 배양할 수 있고, 산업화하는 과정에서 노루궁뎅이 버섯의 배양기간을 단축할 수 있는 효과 및 노루궁뎅이 버섯의 생리활성물질의 활성을 증가시키거나 인진쑥의 풍부한 약용성분이 포함된 노루궁뎅이 버섯의 배양물을 수득할 수 효과가 있다. 이를 위해 특히, 배지에 노루궁뎅이 버섯 종균을 접종하여 배양온도를 23℃ 내지 26℃로 조정한 다음 10일 내지 15일간 배양하여 균사체를 수득하는 단계(S110); 수득한 균사체를 절취하여 복수개의 균사체 디스크를 제조하는 단계(S120); MCM 배지에 균사체 디스크를 접종하고 배양온도를 23℃ 내지 26℃로 조정한 다음 10 내지 15일간 진탕배양하여 제 1차 접종원을 수득하는 단계(S130); MCM 배지에 제 1차 접종원을 접종하고 배양온도를 23℃ 내지 26℃로 조정한 다음 5일 내지 7일간 진탕배양하여 제 2차 접종원을 수득하는 단계(S140); 인진쑥 분말이 포함된 MCM 배지에 제 2차 접종원을 접종하고 배양온도를 23℃ 내지 26℃로 조정한 다음 8일 내지 10일간 배양하는 단계(S150);를 포함하는 것을 특징으로 하는 인진쑥을 이용한 노루궁뎅이 버섯의 액체 배양방법 및 그 방법으로 배양된 노루궁뎅이 버섯 배양물이 개시된다.
来源网站:
中国工程科技知识中心
来源网址:
http://www.ckcest.cn/home/

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