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一种二维超薄SnSe2-PEG纳米片材料及其制备方法和应用
- 专利权人:
- 南京邮电大学
- 发明人:
- 罗志敏,沈琦,邵周伟,何盼盼,张颖,汪联辉
- 申请号：
- CN201910929606.6
- 公开号：
- CN110694063A
- 申请日:
- 2019.27.09
- 申请国别(地区):
- CN
- 年份:
- 2020
- 代理人:
- 摘要：
- 本发明公开一种二维超薄SnSe2‑PEG纳米片及其制备方法和应用,该制备包括:将块状SnSe2研磨为粉末状后,在惰性气体下加入正丁基锂溶液后超声处理;洗涤并除去未完全反应的正丁基锂溶液,抽真空后缓慢加入除氧的超纯水,继续超声处理;将NH2‑PEG溶于除氧的超纯水中,转移至超声处理后的溶液,继续低温超声处理,搅拌后进行洗涤离心纯化,最终得到具有光热治疗功能的二维超薄SnSe2‑PEG纳米片。本发明制备的具有光热治疗功能的二维超薄SnSe2‑PEG纳米片具有高生物相容性、高光热性能以及良好的光热稳定性,且有制备工艺简单、成本低、光热效果好、应用范围广等技术优势,因此在肿瘤治疗方面有重要的应用前景。
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
- 来源网址：
- http://www.ckcest.cn/home/
