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基于电场调控在镁合金表面原位生长类水滑石膜的方法及类水滑石膜
专利权人:
南京工程学院
发明人:
巴志新,匡娟,李壮壮,郏永强,董强胜,王章忠
申请号:
CN201810445496.1
公开号:
CN108624930B
申请日:
2018.11.05
申请国别(地区):
CN
年份:
2019
代理人:
摘要:
本发明提供一种基于电场调控在镁合金表面原位生长类水滑石膜的方法及类水滑石膜,包括以下步骤:(1)镁合金表面预处理;(2)在脉冲电场作用下,使预处理后镁合金基体作为工作电极,铂电极作为对电极在锰离子盐的饱和碳酸溶液中原位生长Mg(OH)2/Mg‑Mn复合类水滑石膜;(3)将步骤(2)制备的具有类水滑石膜的镁合金置于0.04mol/L月桂酸乙醇溶液中,在接通脉冲电源状态下浸泡,进行酸根离子交换,从而在镁合金表面得到具有花瓣状簇丛结构的超疏水类水滑石膜层。通过脉冲电场的定向形核作用,交变电场调控溶液微区离子浓度,实现类水滑石膜结构可控制备,并且该方法工艺简单,显著提高类水滑石膜的疏水性,可广泛应用于植入人体等生物医学领域。
来源网站:
中国工程科技知识中心
来源网址:
http://www.ckcest.cn/home/

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