一种千叶兰茎段扦插繁殖方法
- 专利权人:
- 北京农学院
- 发明人:
- 崔金腾,张克中,王全,王杰
- 申请号：
- CN201210496557.X
- 公开号：
- CN103843539A
- 申请日:
- 2012.11.29
- 申请国别(地区):
- 中国
- 年份:
- 2014
- 代理人:
- 摘要：
- 本发明涉及一种千叶兰茎段扦插繁殖方法，本发明属于植物栽培技术、园林植物与观赏园艺领域。采用一定比例的草炭土，珍珠岩和蛭石混合，组成千叶兰茎段扦插繁殖的培养基质，通过调节合适的基质酸碱度，把培养基质放入育秧盘中，并将待扦插的千叶兰茎段进行消毒处理后插入其中，提供合适的培养温度和湿度，当被扦插的千叶兰茎段上长出新根芽后移栽，按照常规种植办法种植即可。本发明通过扦插繁殖，使千叶兰茎段处于优良的生长环境，能有效提高千叶兰茎段的分化生长与繁殖率。
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
