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利用离子-电子雪崩提高种子生长特性的方法和装置
专利权人:
威廉C·利文古德;约翰A·伯克
发明人:
威廉C·利文古德,约翰A·伯克
申请号:
CN97199581.8
公开号:
CN1237086A
申请日:
1997.08.29
申请国别(地区):
中国
年份:
1999
代理人:
邹光新`张志醒
摘要:
一种用正极和负极(11,12)之间的自组织的电子雪崩处理种子的方法和装置,种子放在正极和负极之间或放在正极上。盒(200)中的装置电路(200)在电极之间同时提供DC和AC,产生投射到种子上的电子雪崩。种子在种植前必须保存一段时间。这样处理的种子具有增强的生长特性。
来源网站:
中国工程科技知识中心
来源网址:
http://www.ckcest.cn/home/

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