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三维结构纳米氧化铟气敏传感器及其制备方法
- 专利权人:
- 中国工程物理研究院化工材料研究所
- 发明人:
- 齐天骄,杨希,杨芳,田昕,左继
- 申请号：
- CN201710253687.3
- 公开号：
- CN107024518A
- 申请日:
- 2017.04.18
- 申请国别(地区):
- 中国
- 年份:
- 2017
- 代理人:
- 刘兴亮`李洁
- 摘要：
- 本发明公开了三维结构纳米氧化铟气敏传感器的制备方法，将氧化铟纳米粉体与松油醇混合，在研钵中研磨均匀，采用旋涂法将氧化铟浆料涂抹于陶瓷平面电极上制成气敏元件，将所述气敏元件置于烘箱中烘干；然后将所述烘干后的气敏元件置于马弗炉，进行煅烧，制备成具有三维结构的纳米氧化铟气敏元件；将所述的气敏元件的铂导电丝焊接在气敏器件的基座上并加盖管帽，经老化处理后得到旁热式氧化铟纳米气敏传感器。本发明还提供一种三维结构纳米氧化铟气敏传感器。本发明不使用和产生有毒有害物质，有利于环境保护；制得的气敏传感器对NO2表现出较高的灵敏度和快速响应、恢复，检测限低，选择性高；本发明制得的气敏传感器结构及制备工艺简单，便于批量生产。
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
- 来源网址：
- http://www.ckcest.cn/home/
