JUERGEN BURGER,PHILIPPE MARGAIRAZ,TIMOTHY G. DIETZ,TORALF BORK,YANIK TARDY
申请号：
BR112015006137
公开号：
BR112015006137A2
申请日:
2013.09.19
申请国别(地区):
BR
年份:
2017
代理人:
摘要：
Abstract Patent "Micro-ultrasonic scalpel with incorporated piezoelectric actuator". The present invention relates to an ultrasonic core including a generally flat and longitudinally elongated waveguide defining an aperture extending from a first side of the waveguide toward a central waveguide plane and having an element. transducer sized and shaped to substantially conform to the size and shape of the aperture and to be at least partially incorporated within the waveguide. in other respects an ultrasonic core including a generally flat and longitudinally elongated silicon waveguide having at least one transducer member attached thereto and a wedge-shaped acoustic horn including a slanted side surface, characterized in that the side surface The slant is oriented along the crystallographic plane {1,1,1} of the silicon material. Also, methods of manufacturing the respective ultrasonic cores and ultrasonic handles for ultrasonic surgical instruments incorporating such cores.resumo patente de invenção "bisturi ultrassônico microusinado com atuador piezoelétrico incorporado". a presente invenção refere-se a um núcleo ultrassônico incluindo um guia de ondas genericamente plano e longitudinalmente alongado definindo uma abertura estendendo-se a partir de um primeiro lado do guia de onda em direção a um plano central do guia de onda e tendo um elemento transdutor dimensionado e conformado de modo a adaptar-se substancialmente ao tamanho e formato da abertura e ser ao menos parcialmente incorporado dentro do guia de onda. em outros aspectos, um núcleo ultrassônico incluindo um guia de onda de silício genericamente plano e longitudinalmente alongado tendo ao menos um elemento transdutor preso a isso e uma corneta acústica em formato de cunha incluindo uma superfície lateral inclinada, caracterizada pelo fato de que a superfície lateral inclinada é orientada ao longo do plano cristalográfico {1,1,1} do material de silício. também, métodos de fabricação dos respectivos núcleos
