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一种金属硫化物包覆单壁碳纳米管纳米电缆及其合成方法
- 专利权人:
- 沈阳化工大学
- 发明人:
- 张艳丽,何向明
- 申请号：
- CN201610404733.0
- 公开号：
- CN106082166A
- 申请日:
- 2016.06.12
- 申请国别(地区):
- 中国
- 年份:
- 2016
- 代理人:
- 张志刚
- 摘要：
- 一种金属硫化物包覆单壁碳纳米管纳米电缆及其合成方法，涉及一种电缆及其合成方法，采用化学气相沉积（CVD）热反应法的方式原位制备；将石墨、催化剂、含硫生长促进剂、硅粉、金属粉或金属化合物粉压制；采用惰性气氛作为保护气氛及载气，石墨、催化剂、含硫生长促进剂、硅粉反应生成单壁碳纳米管；含硫生长促进剂与金属粉或金属化合物粉反应生成金属硫化物，单壁碳纳米管和金属硫化物团簇离开原料表面，流向低温区；在此过程中，金属硫化物团簇包覆于单壁碳纳米管表面。该电缆具有优良的光电化学特性，电缆的芯体仅有一根或几根单壁碳纳米管构成，将有利于单壁碳纳米管纳米尺度电效应的发挥，体现出更加优异的新奇特性。
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
- 来源网址：
- http://www.ckcest.cn/home/
