三氧化二镧在天山雪莲种苗生长中的应用
- 专利权人:
- 中国科学院过程工程研究所
- 发明人:
- 刘春朝,郭斌,晏琼
- 申请号：
- CN200610113732.7
- 公开号：
- CN101161057B
- 申请日:
- 2006.10.13
- 申请国别(地区):
- 中国
- 年份:
- 2011
- 代理人:
- 李柏
- 摘要：
- 本发明属于生物技术领域，特别涉及三氧化二镧在天山雪莲种苗生根和壮苗中的应用。本发明利用La2O3促使天山雪莲根的发生和苗生长，通过在无菌培养基质上或者在外界支持物中加入La2O3溶液，能够促进天山雪莲种苗高效生根，并提高移栽成活率；同时通过叶面喷洒La2O3溶液能够显著增加天山雪莲组培苗的地上部分植株高度和叶片的数目，提高种苗的生长质量，在短期内可获得茁壮的天山雪莲种苗。本发明不仅对天山雪莲种苗的高效生根提供了有效的途径，而且为其它难生根的高山植物的人工生根体系的建立提供了可借鉴的模式。
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
