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一种基于原位生成硫化镉检测地塞米松光电化学传感器的制备方法
专利权人:
济南大学
发明人:
魏琴,王雪萍,闫涛,李燕,马洪敏,杜斌
申请号:
CN201510809271.6
公开号:
CN105259236B
申请日:
2015.11.22
申请国别(地区):
中国
年份:
2016
代理人:
摘要:
本发明涉及一种原位生成硫化镉检测地塞米松的光电化学传感器的制备方法。本发明具体是采用羧基化氮化碳和硫化铋作为基底材料,镉离子功能化的二氧化钛标记地塞米松抗体。通过在电极表面直接滴加硫化钠,原位生成高光电转换效率的窄带隙硫化镉半导体纳米材料,在可见光波长的光源照射下产生光电流信号。载体多孔二氧化钛与硫化镉能带匹配良好,从而提高硫化镉的光电转换效率,实现了对地塞米松的高灵敏检测,其检测限为2pg/mL。
来源网站:
中国工程科技知识中心
来源网址:
http://www.ckcest.cn/home/

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