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N-SULFONYLBENZAMIDES AS INHIBITORS OF VOLTAGE-GATED SODIUM CHANNELS
专利权人:
发明人:
申请号:
EP11748720.7
公开号:
EP2593428B1
申请日:
2011.07.04
申请国别(地区):
EP
年份:
2014
代理人:
摘要:
The invention relates to sulfonamide derivatives, to their use in medicine, to compositions containing them, to processes for their preparation and to intermediates used in such processes. More particularly the invention relates to a new sulfonamide Nav1.7 inhibitors of formula (I): or a pharmaceutically acceptable salt thereof, wherein X, Ar1, R1, R2, R3, R4 and R5 are as defined in the description. Nav 1.7 inhibitors are potentially useful in the treatment of a wide range of disorders, particularly pain.Cette invention concerne des dérivés de sulfonamide, leur utilisation en médecine, des compositions les contenant, des procédés pour les préparer et les intermédiaires utilisés dans ces procédés. Plus particulièrement, cette invention concerne de nouveaux inhibiteurs de Nav1.7 de type sulfonamide de formule (I) : ou un sel pharmaceutiquement acceptable de ceux-ci X, Ar1, R1, R2, R3, R4 et R5 dans la formule étant tels que définis dans la description. Les inhibiteurs de Nav 1.7 sont potentiellement utiles pour traiter toute une batterie daffections, en particulier, la douleur.
来源网站:
中国工程科技知识中心
来源网址:
http://www.ckcest.cn/home/

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