摄像器件、电子装置和制造摄像器件的方法
- 专利权人:
- 索尼半导体解决方案公司
- 发明人:
- 斋藤卓,藤井宣年
- 申请号：
- CN201880011702.6
- 公开号：
- CN110291637A
- 申请日:
- 2018.08.02
- 申请国别(地区):
- CN
- 年份:
- 2019
- 代理人:
- 摘要：
- 本发明涉及能够在保持半导体芯片的强度的同时薄化端子提取表面上的半导体的摄像器件、电子装置和制造摄像器件的方法。所提供的摄像器件包括:第一基板,在所述第一基板中形成有像素区域,在所述像素区域中二维地布置有像素,所述像素执行光的光电转换;和第二基板,在所述第二基板中形成有贯通电极,其中,在所述第二基板的与光入射侧相对的背表面中形成有挖掘部,并且在所述挖掘部中形成有与所述第一基板的背表面连接的重布线层(RDL)。例如,本发明可以应用到包括半导体芯片的半导体封装。
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
