一种赭曲霉毒素A光电化学传感器的制备方法及应用

• 收藏
• 分享

专利权人:

山东理工大学

发明人:

李月云,冯金慧,张晓波,高增强,吕慧,王广阔,燕帅,王平,董云会

申请号：

CN201710188028.6

公开号：

CN106802315A

申请日:

2017.03.27

申请国别(地区):

中国

年份:

2017

代理人:

摘要：

本发明涉及一种赭曲霉毒素A光电化学传感器的制备方法及应用。该方法利用BiVO₄/TiO₂作为基底材料，其优良的导电性和大的表面积能有效减小背景信号。采用直接滴加AgNO₃和Na₂S的方法，在BiVO₄表面原位生成高光电转换率的窄带隙Ag₂S光电活性材料，通过可见光波长的LED灯照射Ag₂S，产生光电流信号。载体BiVO₄/TiO₂与Ag₂S能带匹配度良好，能进一步提高Ag₂S的光电转换信号，从而实现了赭曲霉毒素A的高灵敏测定。

来源网站：

中国工程科技知识中心

来源网址：

http://www.ckcest.cn/home/