Sensitivity and accuracy to provide a high contact force sensor and a manufacturing method of the contact force sensor. The contact force sensor 5 is produced by processing a silicon semiconductor material. The contact force sensor 5, it has provided a base portion 611, a sensor structure (6) having a contact force transmitting portion 612 formed in the direction perpendicular to the base 611. Formed in the base portion 611 of the sensor structure 6, it has a stress-electric conversion element 7 converts the displacement of the contact force transmitting unit 612 into an electric signal.感度及び精度が高い接触力センサ及びその接触力センサの製造方法を提供する。 接触力センサ5は、シリコン半導体材料を加工することによって作製される。接触力センサ5は、ベース部611と、このベース部611と直交する方向に形成された接触力伝達部612とを有するセンサ構成体6を備えている。センサ構成体6におけるベース部611に形成され、前記接触力伝達部612の変位を電気信号に変換する応力電気変換素子7を備えている。
