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高周波位相同期発振回路
专利权人:
国立研究開発法人産業技術総合研究所
发明人:
田丸 慎吾,久保田 均,福島 章雄,湯浅 新治
申请号:
JP20170515583
公开号:
JPWO2016175249(A1)
申请日:
2016.04.27
申请国别(地区):
日本
年份:
2018
代理人:
摘要:
MR素子が発振する高周波は発振スペクトルのピーク幅が広いという問題を解決し、ピーク幅が極めて狭く周波数が安定な高周波位相同期発振回路を提供する。発振周波数foutの高周波を発振する磁気抵抗素子6と、基準周波数frefの基準信号を出力する基準信号源1と、位相比較器3、ループフィルタ4及び分周器9を備えた位相同期ループ回路と、ループフィルタから出力された位相誤差信号Aと磁気抵抗素子から高周波を発振させるためのバイアス電圧Bとを加算し、加算されたバイアス電圧(A+B)を磁気抵抗素子6に入力する加算器5と、分周器9の入力側であって、かつ分周器9と磁気抵抗素子6との間に基準周波数frefをカットし発振周波数foutを通すフィルタ7とを設けることにより、高周波位相同期発振回路を実現する。
来源网站:
中国工程科技知识中心
来源网址:
http://www.ckcest.cn/home/

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