调制脑中脑功能区的神经元放电频率的方法和装置
- 专利权人:
- 李小平
- 发明人:
- 李小平,夏茜,李婕熙,李乐熙
- 申请号：
- CN201880039517.8
- 公开号：
- CN110869084A
- 申请日:
- 2018.27.08
- 申请国别(地区):
- CN
- 年份:
- 2020
- 代理人:
- 摘要：
- 本申请提供了一种调制脑中的脑功能区的神经元放电频率的方法和装置,该方法包括:产生电磁场,其中其功率以预设调制频率变化(S101);以及将所产生的电磁场布置在脑附近,使得脑功能区在电磁场的近场范围内,从而利用电磁场的功率使脑功能区的细胞外液极化,使得细胞外液的极化密度以预设调制频率变化并且细胞外液中的神经元被调制成以预设调制频率放电(S102)。
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
