植入式光电极及其制备方法
- 专利权人:
- 中国科学院深圳先进技术研究院
- 发明人:
- 孙语遥,吕丹,詹阳
- 申请号：
- CN201910978715.7
- 公开号：
- CN110604567A
- 申请日:
- 2019.15.10
- 申请国别(地区):
- CN
- 年份:
- 2019
- 代理人:
- 摘要：
- 本发明公开了一种植入式光电极的制备方法以及一种植入式光电极。本发明植入式光电极的制备方法包括如下步骤:将光纤与陶瓷头连接固定;在光纤的侧壁上涂覆第一胶粘剂,将多个硅管粘附在光纤的侧壁上;调整硅管的位置,使所有硅管围绕光纤均匀分布,且每个硅管的长度方向均与光纤的长度方向平行;在每个硅管中穿入微电极丝,得到植入式光电极。本发明植入式光电极的制备方法能够控制微电极丝均匀环绕在光纤外围,使整个植入式光电极更加有效和稳定,该制备方法操作简单,可以加速和简化光电极的制备过程,且提高了植入式光电极的制备精度,使电极微丝和光纤整合成功率高,同时能有效控制成本。
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
