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一种灯草的高产育苗方法
专利权人:
黄德元
发明人:
黄德元
申请号:
CN201610779579.5
公开号:
CN106171500A
申请日:
2016.08.30
申请国别(地区):
中国
年份:
2016
代理人:
叶丹
摘要:
本发明公开了一种灯草的高产育苗方法,包括S1、种子处理,选用灯草;将晒好的种子用清水浸泡20‑24小时,捞起浮在水面上的瘪粒,消毒后催芽;S2、育苗,选择地势平坦、背风向阳、土壤肥沃、排灌方便、杂草少、无病虫害、离大田较近的地方做秧田;整理苗床耕深8‑10厘米,将育苗培养土均匀洒入秧田中,亩施2000‑5000公斤,将土块弄碎整平,做到秧田平坦、土壤肥沃;播种育苗,a.第一段育苗采用旱育小苗培育;b.第二阶段采用旱育小苗寄栽。本发明所育的灯草出苗率高,出苗整齐,长势一致,从根本上实现了草苗的优生优育,显著地提高了草苗的素质。
来源网站:
中国工程科技知识中心
来源网址:
http://www.ckcest.cn/home/

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