PROBLEM TO BE SOLVED: To solve the problem in which on-resistance is likely to vary depending on a range of a signal voltage to be used due to drain-source voltage characteristics of a n-channel type MOSFET in a switch circuit of a conventional art composed of two n-channel type MOSFETs having source terminals connected.SOLUTION: In a main switch circuit, there are provided two n-channel type MOSFETs having source terminals connected and two p-channel type MOSFETs having source terminals connected in parallel. Therefore, when a switch drive voltage is "H", the n-channel type MOSFET is turned on, and when the switch drive voltage is "L", the p-channel type MOSFET is turned on. Thereby, the n-channel type MOSFET switch and the p-channel type MOSFET switch are used in combination. A semiconductor switch circuit is attained that has stable on-resistance characteristics, not depending upon a voltage range of a signal to be used, and performs switching operation at high speed.COPYRIGHT: (C)2014,JPO&INPIT【課題】従来技術のソース端子を接続した2つのnチャネル型MOSFETからなるスイッチ回路では、nチャネル型MOSFETのドレイン-ソース電圧特性により、使用する信号電圧の範囲によってオン抵抗が変動する可能性がある。【解決手段】主スイッチ回路において、ソース端子を接続した2つのnチャネル型MOSFETと同じくソース端子を接続した2つのpチャネル型MOSFETとを並列に設けることで、スイッチ駆動電圧が“H”のときにnチャネル型MOSFETがオンし、“L”のときにpチャネル型MOSFETがオンすることでnチャネル型MOSFETスイッチとpチャネル型MOSFETスイッチを併用する。使用する信号の電圧範囲によらず安定したオン抵抗特性を持ち高速にスイッチング動作を行う半導体スイッチ回路を実現する。【選択図】図1
