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局部线圈设备、磁共振成像(MRI)设备及局部线圈设备的控制方法
专利权人:
三星电子株式会社
发明人:
韦吉斯·乔治
申请号:
CN201680071354.2
公开号:
CN108366754A
申请日:
2016.11.08
申请国别(地区):
CN
年份:
2018
代理人:
摘要:
提供了一种局部线圈设备、磁共振成像设备及局部线圈设备的控制方法。局部线圈设备包括射频(RF)接收线圈,被配置为从对象接收RF信号,温度传感器,被配置为感测局部线圈设备的温度,和电抗控制器,被配置为响应于局部线圈设备的温度大于或等于参考值,控制RF接收线圈的电抗。
来源网站:
中国工程科技知识中心
来源网址:
http://www.ckcest.cn/home/

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