单株多圈大立菊的培植方法
- 专利权人:
- 中山市小榄镇人民政府
- 发明人:
- 麦池英,麦标池,张伟钊,左容昌
- 申请号：
- CN200710029007.6
- 公开号：
- CN101331831A
- 申请日:
- 2007.06.29
- 申请国别(地区):
- 中国
- 年份:
- 2008
- 代理人:
- 摘要：
- 本发明涉及一种可以跨年度生长、无需嫁接的大立菊培植方法，直接选用火舞或粉牡丹或飞雪迎春为母株，直接用母株顶部的嫩枝扦插到泥土上培育为植株；经半个月的培育后直接将其定植于盆内中央，离中心约10cm处用瓦片围成一圈，圈内填上泥土，圈外至盆边预留空位，然后根据不同的生长季节和植株长势，分期逐步往外扩穴培土；在第一年的8月底开始，每晚九点到第二天凌晨三点在距植株顶部约1米处用白炽灯进行灯光照射，照射标准为100瓦/5平方米，持续到第二年4月中旬；大约在第二年的9月下旬，当菊枝挂满花蕾时，清疏花蕾；最后将各花蕾扎制成型。
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
